CoreFlow 的單源多道獨立真空（Selective Vacuum，簡稱 SV）解決方案解決了處理翹曲基板的挑戰。將翹曲基板置於單源多道獨立真空夾盤或載台上時，部分真空口（吸盤）可能沒有被遮蓋而暴露在空氣中。這時如果使用標準的真空夾盤或載台，氣流會流向這些未被遮蓋的吸口，使得那些被遮蓋的吸口沒有足夠的真空吸力來抓取基板。

CoreFlow 的單源多道獨立真空 (Selective Vacuum) 裝置搭載 SmartNozzle™ 技術，即使只有部分真空陣列被基板遮蓋，也能很穩固地抓取基板。 這種單源多道獨立真空 (Selective Vacuum) 裝置可確保所有真空吸口都能獲得足夠的氣流，無論是否被基板遮蓋。未遮蓋真空吸口處的氣流將被吸嘴的氣流阻力阻塞，使被遮蓋的真空吸口獲得抓取平整和翹曲基板所需的真空夾持力。

CoreFlow 的單源多道獨立真空 (Selective Vacuum) 夾盤適用於在各種生產應用中抓取基板，包括處理翹曲晶圓、雷射刻線、微影製程、量測檢驗、噴墨印刷等等。

產品特性及優勢

Solution override title: 翹曲晶圓處理

Solution override text:

可靠處理高度翹曲晶圓，實現高工藝通量

由於製造工藝步驟中新的製程技術對晶圓平整度的影響，處理半導體晶圓的固有挑戰變得越來越複雜。因此，晶圓翹曲已成為一種常見現象，必須有效並可靠地處理這些晶圓。標準的End-effector通常無法適當處理此類晶圓，從而影響了生產效率和良率。

CoreFlow End-Effector (EE) 系列解決了處理所有類型晶圓的挑戰，包括超薄、穿孔、復合、玻璃、裸晶和拋光晶圓。利用 CoreFlow 獨有的 SmartNozzle™ 技術，即使只遮蓋真空陣列的一小部分，處理裝置也能抓取晶圓。這與競爭技術形成了鮮明對比，因為標準的真空夾盤會失去抓取力而使晶圓掉落。

當翹曲晶圓被End-effector抓取時，由於晶圓的形狀，有些真空吸盤可能沒被覆蓋，暴露在空氣中。使用標準的末端執行器時，氣流將流向暴露的真空吸盤，因此，被遮蓋的真空吸盤將沒有任何真空抓取力。CoreFlow 獨特的 EE 設計可確保所有真空吸盤都能獲得足夠的氣流，無論是否被基板遮蓋。未遮蓋真空吸盤處的氣流將被氣孔的流體阻力阻塞，使被遮蓋的真空吸盤產生真空夾持力，並牢牢抓取翹曲晶圓。

下圖展示了 CoreFlow EE 的抓取能力與具有類似設計的競爭產品的對比情況。在此對比中，CoreFlow EE 即使在三個真空吸口（吸盤）都打開的情況下仍能抓取晶圓，而競爭產品 EE 在單個真空吸口暴露時就立即失去了抓取力。

主要特性及優勢： 

• 傳送翹曲晶圓，即使只遮蓋一小部分 EE 真空吸盤。 有足夠的真空夾持力來保持晶圓。
• 處理薄型和厚型 (100-1400 μm) 翹曲晶圓（支持高達 10 mm 的翹曲）。
• 可處理 150、200 和 300 mm 直徑的晶圓。

Solution override title: 超薄晶圓處理

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先進的超薄晶圓處理解決方案，適用於 WLP/FOWLP 工藝

半導體行業需要以更精密設計提供更大內存、更強計算能力和更高功率效率，這促使產品結構密度越來越高。過去足夠的二維製造技術已經達到了其物理極限，並被三維技術所取代，而三維技術需要處理和堆疊多層和/或多個薄晶圓。這些薄薄的（通常是變形和翹曲的）晶圓對現有的自動化處理和加工平台構成了巨大的挑戰，因為難以抓取晶圓，最終可能導致晶圓損壞。

CoreFlow 的 SmartNozzle™ 技術就是為了克服這一挑戰而開發的。

即使存在翹曲，CoreFlow 的自調節真空系統也能夠「感知」表面的彎曲並抓取晶圓。SmartNozzles™ 可控制流經氣孔的真空度，從而最大限度減少真空損失並優化性能。透過設計和選擇正確的吸嘴，我們可以確保穩固而精準地保持脆弱的晶圓，無論任何翹曲程度和直徑尺寸。當需要處理和加工薄晶圓時，CoreFlow 基於 SmartNozzles™ 的處理平台可顯著提高工藝良率和生產量能。 

Solution override title: 非接觸夾盤

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獨特、可靠的晶圓有源面和背面夾持解決方案，可消除背面污染

對更快、更節能、更精密的電腦的要求促使業界需要更小的半導體元件，有時甚至比摩爾定律所預測的還要小。這種不斷縮小的結構尺寸需要一個無微粒污染的生產環境。一個 0.5 微米（即人髮厚度的 1/500）大小的顆粒就可能導致元件失效。雖然傳統的處理方法可保證晶圓正面（有結構面）的清潔度，但人們往往遺忘了背面污染的問題。

背面接觸已經成為技術發展上的瓶頸。以目前的技術，翻轉晶圓方向（頂部和底部）都會造成污染。

CoreFlow 的非接觸夾盤透過消除與晶圓的機械接觸，幾乎可實現無微粒污染製程！

反作用力和真空力使晶圓在 30 微米左右的精確高度飛行。這些平衡力可整平晶圓，從而實現精確檢測或/和測量應用。微粒污染和金屬污染的風險也被一併消除。

主要特性及優勢

• 微粒污染減少 300 倍或以上！
• 消除了金屬污染。
• 熱力和機械振動分離。
• 可調節的整平力，適用於處理翹曲和/或薄晶圓。
• 可用於 150 (6”)、200 和 300 mm 標準厚型和薄型晶圓。
• 一般應用有檢測、計量、光刻顯影等。